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    ipd2m

     
    • 适用于无源电路芯片设计与制造；
    • 匹配电路、功分器/合成器、滤波器、耦合器等。
    gaas制程产品介绍

    ppa25: 0.25 µm power phemt工艺

    工艺特点：
    • 0.25μm optical t-gate
    • 平坦化工艺（离子注入隔离）
    • 特殊 double recess结构
    • high-q 钝化层
    • mim 电容
    • tan 电阻（50ω/sq）
    • gaas 电阻
    • 空气桥
    • 背面通孔
    • protection overcoat(pbo)
    • operation up to vd=8v
    典型技术参数：

    idss=360ma/mm，gm=450ms/mm，bvgd=18v，vth=-1.1v
     
    • 适用于宽带、窄带中小功率放大器，可实现多种mmic
    用“芯”成就客户
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